当前位置：首页 > 产品中心
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质， 摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 获取价格 一种电化学沉积制备膜电极的方法及其应用中国 一种电沉积硅的方法张士宪2022年11月9日 本发明针对现有技术的局限性,提出了一种电沉积方法及电沉积装置,本发明通过将喷嘴倒置,电沉积后多余的电铸液会由于重力作用迅速流到液槽内,大大减少了在阴极基底底面 一种电沉积方法及电沉积装置 百度学术%PDF13 %âãÏÓ 128 0 obj /Linearized 1 /O 130 /H [ 1308 543 ] /L /E 29473 /N 5 /T >> endobj xref 128 45 00000 n 00000 n 00000 """""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""
用二氧化硅电沉积结晶硅膜，用于低成本光伏应用。,Nature
2019年12月19日 在这里，我们演示了一种简单的方法，该方法可通过一步一步在熔融盐中电沉积工艺直接从二氧化硅制备高纯度的太阳能级硅膜，以用于可能的光伏应用。2018年1月19日 成功开发了一种使用室温离子液体（RTIL）电沉积硅铒（Si/Er）和硅铽（Si/Tb）薄膜的一步法。 通过调整电化学参数，可以调节薄膜中掺入的稀土 (RE) 离子（Er 3+和 Tb 3+ ）的浓度。使用离子液体的一步电沉积工艺生长成分可调的高发 2022年9月9日 描述了一种将锗从基于 GeO 2的水溶液电沉积到在 n 型高掺杂 (100) 硅晶片上形成的阳极中孔硅的孔通道中的方法。 评估了沉积时间、孔道形状和多孔硅层在氢氟酸中预处理 锗电沉积到多孔硅中用于硅锗合金化,Materialia XMOL2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术： 面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法张士宪 一种PECVD法沉积非晶硅的控制爆膜的方法与流程2326一种pecvd法沉积非晶硅的控制爆膜的方法技术领域本发明属于太阳能电池技术领域，尤其是涉及一 2014年10月5日 本文介绍了各方法的影响因素,回顾了电沉积硅的历史,指出电沉积硅法具有良好的发展趋势。 关键词:电沉积;硅;历史;趋势文章编号:10092617 (2004)04018803中图分类 电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网2018年8月26日 1一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，其特征在于，以具有环形分子结构的三甲硅烷基环三硅氮烷作为前驱体，与含氮化合物采用“沉积固化”的周期性循环方式沉积到衬底上，形成可流动的氮化硅薄膜，直至填满衬底的沟槽；所述氮化硅薄膜在700~900℃温度下进行退火处理或者在300~400 一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法CNB2022年7月17日 邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压 一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳
一种硅烷沉积的多孔碳的负极材料的制备方法及其应用
2024年3月18日 2、化学气相沉积是一种表面改性的方法。用这种方法在多孔碳表面沉积硅，可以分散硅颗粒，有效防止硅材料的团聚，提高材料的电化学性能，降低硅碳复合材料中硅的膨胀应力，从而降低整个电极的体积膨胀率。 由于碳可以充分抑制电极表面 2015年4月8日 《一种盐水系统除硅方法》是芜湖融汇化工有限公司于2015年4月8日申请的发明专利，该专利申请号为95，公布号为CNA，专利公布日为2015年8月19日，发明人是章斯淇、李永毛《一种盐水系统除硅方法》包括关键步骤：按比例混合添加海盐，海盐的关键成份，并且添加适量三氯化铁。并且 一种盐水系统除硅方法百度百科2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程 2018年6月16日 本发明涉及锂离子电池领域，特别涉及一种SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法。（二）背景技术由于传统能源汽车(即燃油车)带来污染，近年来已有多个国家相继宣布全面禁售燃油汽车时间表。新能源汽车(即电动汽车)被认为是未来汽车发展主要方向。其中，电池是新能源汽车发展 SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法与流程
一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CNA
2021年12月31日 本专利由安徽工业大学申请，公开，本发明公开了一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，属于电镀技术领域，该方法首先将氯化胆碱、乙酰丙酸和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂，接着将氯化亚铁、六水氯化钴、六水专利查询、专利下载就上专 2020年12月11日 摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 一种制备氧化硅薄膜的方法 百度学术2009年3月9日 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 此方法是目前普遍采用的一种 ，能够获得高质量的外延硅单晶。氢还原四氯化硅法是 以运载气体和还原剂，在高温（1200℃）下使 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网2010年7月14日 专利名称：电沉积制备三维硅光子晶体的方法 技术领域： 本发明涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。 背景技术： 光子晶体是一种介电常数在空间上呈周期分布的新型光学材料。当介电常数的变 化幅度较大且与光的波长相比拟时，介质的布拉格散射会产生带隙，即光子禁带，相应于 此带隙区域的 电沉积制备三维硅光子晶体的方法 X技术网
中科大曾杰课题组Nature Commun：电化学沉积实
2020年5月13日 但是由于这些方法对可制备的金属单原子或载体有一些特殊的要求，还不能实现对金属单原子和载体材料的无选择性制备。近日，中国科学技术大学曾杰 教授（点击查看介绍）课题组 利用电化学沉积技术发展出了一种制备 本发明涉及元素检测技术领域，更具体地说，它涉及一种土壤和沉积物中硅的测定方法。背景技术自然界中，硅主要以二氧化硅、硅酸盐的形式存在，是农作物生长所需的重要营养元素之一，被国际土壤学界确认为继氮、磷、钾之后的第四中 一种土壤和沉积物中硅的测定方法与流程2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程 2014年12月22日 技术领域 [0001] 本发明涉及太阳能设备及镀膜技术领域，尤其涉及用于氮化硅沉积的磁控溅射镀 膜设备及镀膜方法。 背景技术 [0002] 溅射技术属于 PVD( 物理气相沉积 ) 技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之 一。一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利]
一种基于硅碲复合结构的光电探测器及其制备方法 X技术网
4 天之前 本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于硅碲复合结构的光电探测器及其制备方法。背景技术： 1、光电探测器是一种能够把光信号转变为电信号的器件，其主要基于半导体的光生伏特效应，而随着宽波段探测器的快速发展，越来越多的场合需要宽波段探测，如：宽光谱分析、宽波段 2019年4月23日 本发明涉及湿法冶金技术，具体涉及一种电沉积生产金属银的方法。背景技术银是导电性能最好的金属，可制成电线、箔片、涂层或者导电浆料。它还是重要的化学原料，可作为感光剂和多种氧化反应催化剂的活性成分。现代工业中银已是不可或缺的原材料，2014年全球消费量达到31万吨。作为价值 一种电沉积生产金属银的方法与流程2022年3月1日 一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法[发明专利]4 根据权利要求1所述的一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料的制备方法，其 特征在于，步骤S1中，所述喷雾干燥得到粒径为10μm～30μm的多孔碳前驱体。 5 根据权利要求1所 一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法[发明 摘要： 本发明涉及电沉积生产金属银的方法,利用带有特定隔膜的电解槽对含Ce(NO)的阳极区电解液和含AgNO的阴极区电解液进行电解,其中,阳极区的电解液不能进入阴极区,电解完成后,在阴极得到高纯度的金属银,阳极区得到Ce(NO)本发明通过阻止阳极区的电解液和阴极区的电解液之间的无序流通,实现了 一种电沉积生产金属银的方法 百度学术
一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 X技术网
2015年12月9日 基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术的氮化硅薄膜技术主要应用于半导体器件和集成电路的研制中，用作芯片的钝化层和多层布线间的介质膜。在大多数氮化硅薄膜的沉积工艺过程中，如果沉积温度降低至400°C以下，薄膜性能会受到较大影响。因此，在低温下沉积出性能稳定的氮化硅薄膜，是 2003年10月31日 本发明公开了一种制备钴基氧化物材料的方法，是采用电沉积直接把活性物质沉积在铜箔集流体基体上，然后经热处理制备钴基氧化物材料。其制备方法，步：配制电沉积溶液；第二步：除去基体表面的氧化层；第三步：将经第二步处理后的基体浸入步已配制好的电沉积水溶液中开始电沉积 一种采用电沉积法制备氧化钴材料的方法 Google Patents2010年2月1日 高硅钢(65%(质量分数)Si)是一种具有高磁导率、低矫顽力和低铁损等优异软磁性能的合金但高硅钢的室温脆性和低的热加工性能严重影响了其在工业领域的应用综述了化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、电泳沉积、熔盐电沉积、电子束物理气相沉积及激光熔覆等6种沉积扩散法制备高硅钢的工艺 沉积扩散法制备高硅钢期刊万方数据知识服务平台2010年3月29日 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。CNA 电沉积制备三维硅光子晶体的方法 Google
一种PECVD沉积Ppoly硅的方法及硅片与装置系统与流程
2024年3月22日 本发明属于太阳能电池，涉及一种沉积ppoly硅的方法，尤其涉及一种pecvd沉积ppoly硅的方法及硅片与装置系统。背景技术： 1、随着topcon电池逐步实现大规模量产后，各家公司和科研机构开始着手开发并研究下一代电池产品，即xbc电池。电沉积是指金属或合金从其化合物水溶液、非水溶液或熔盐中电化学沉积的过程。是金属电解冶炼、电解精炼、电镀、电铸过程的基础。这些过程在一定的电解质和操作条件下进行，金属电沉积的难易程度以及沉积物的形态与沉积金属的性质有关，也依赖于电解质的组成、pH值、温度、电流密 电沉积百度百科该领域下的技术专家 如您需求助技术专家，请点此查看客服进行咨询。 1、张老师：1探索新型氧化还原酶结构功能关系，电催化反应机制 2酶电催化导向的酶分子改造 3纳米材料、生物功能多肽对酶电极体系的影响4生物电化学传感和生物电合成体系的设计与应用。一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法 X技术网相比于其它制备硅的方法，在室温下电沉积硅具有操作简单、尺寸可控、不需要大型的设备等一系列的优点。用镍片作为工作电极进行恒电压电沉积，能得到50 μm厚的硅层。用镍、银和玻璃碳作为工作电极，进行恒电位电沉积，能得到不同厚度且形貌不同的硅硅负极及其电沉积制备 百度文库
什么是硅的 Cvd 工艺？6 个关键步骤详解 Kintek Solution
硅的 CVD 工艺是一种用于在基底上沉积硅基薄膜的方法。这是通过气体前驱体在高温下发生化学反应来实现的。这种工艺广泛应用于半导体行业，用于沉积二氧化硅、氮化硅和碳化硅等材料。 6 个关键步骤说明 1引入前驱体2024年3月22日 近日，深圳大学彭争春教授团队与中国科学院深圳先进技术研究院张翊高工团队联合报道了一种快速电化学沉积MXene与聚多巴胺(PDA)复合材料的方法，为高性能生物电子界面提供了新思路，该工作结合了PDA的高粘附性、亲水性和MXene的高比表面积、丰富。彭争春、张翊《AFM》：基于MXene/PDA快速电沉积工艺的 2024年11月29日 氮化硅（Si₃N₄）薄膜是一种高性能介质材料，在集成电路制造领域具有广泛的应用前景。作为非晶态绝缘体，氮化硅薄膜不仅介电特性优于传统的二氧化硅，还具备对可移动离子的强阻挡能力、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好以及介电常数高等一系列优点。氮化硅薄膜的特性及制备方法电子发烧友网2018年8月26日 1一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，其特征在于，以具有环形分子结构的三甲硅烷基环三硅氮烷作为前驱体，与含氮化合物采用“沉积固化”的周期性循环方式沉积到衬底上，形成可流动的氮化硅薄膜，直至填满衬底的沟槽；所述氮化硅薄膜在700~900℃温度下进行退火处理或者在300~400 一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法CNB
一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法上海大学氢冶金与低碳
2022年7月17日 邹星礼; 李金键; 张学强; 李想; 庞忠亚; 汪淑娟; 熊晓璐; 李光石; 许茜; 鲁雄刚。一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法。2021年，CN57 。摘要：本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备高纯铁的方法,涉及冶金新技术及高纯材料制备领域。本发明采用CaCl2Fe2O3CaO为熔盐体系,在恒电流、恒电压 2024年3月18日 2、化学气相沉积是一种表面改性的方法。用这种方法在多孔碳表面沉积硅，可以分散硅颗粒，有效防止硅材料的团聚，提高材料的电化学性能，降低硅碳复合材料中硅的膨胀应力，从而降低整个电极的体积膨胀率。 由于碳可以充分抑制电极表面 一种硅烷沉积的多孔碳的负极材料的制备方法及其应用2015年4月8日 《一种盐水系统除硅方法》是芜湖融汇化工有限公司于2015年4月8日申请的发明专利，该专利申请号为95，公布号为CNA，专利公布日为2015年8月19日，发明人是章斯淇、李永毛《一种盐水系统除硅方法》包括关键步骤：按比例混合添加海盐，海盐的关键成份，并且添加适量三氯化铁。并且 一种盐水系统除硅方法百度百科2020年8月25日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法。背景技术面对化石能源的日渐枯竭及其对环境的污染，探索和开发利用可持续新能源就显得尤为重要。利用太阳能光伏电池发电是一种新兴的、可再生的清洁能源，因此引起了人们的广泛关注。而在所有这些能 一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法与流程
2018年6月16日 本发明涉及锂离子电池领域，特别涉及一种SiCl4原位沉积制备具有微纳结构的硅碳复合材料的方法。（二）背景技术由于传统能源汽车(即燃油车)带来污染，近年来已有多个国家相继宣布全面禁售燃油汽车时间表。新能源汽车(即电动汽车)被认为是未来汽车发展主要方向。其中，电池是新能源汽车发展 2021年12月31日 本专利由安徽工业大学申请，公开，本发明公开了一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，属于电镀技术领域，该方法首先将氯化胆碱、乙酰丙酸和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂，接着将氯化亚铁、六水氯化钴、六水专利查询、专利下载就上专 一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CNA2020年12月11日 摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法,该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜,包括以下步骤:将衬底置于反应腔体内,抽真空,加热;将氧等离子体与硅源喷向衬底表面,在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅,得到氧化硅薄膜本发明制备氧化 一种制备氧化硅薄膜的方法 百度学术2009年3月9日 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 此方法是目前普遍采用的一种 ，能够获得高质量的外延硅单晶。氢还原四氯化硅法是 以运载气体和还原剂，在高温（1200℃）下使 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积 电子实验 电子发烧友网